型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type

○ Power Management Switch Applications ○ High-Speed Switching Applications • 1.8V drive • Low ON-resistance: Ron = 286 mΩ (max) (@VGS = 1.8V) : Ron = 167 mΩ (max) (@VGS = 2.5V) : Ron = 123 mΩ (max) (@VGS = 4.0V)

TOSHIBA

东芝

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

更新时间:2026-2-13 20:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
23+
SOT-323
100586
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
TOSHIBA/东芝
2025+
UFM
5000
原装进口,免费送样品!
TOSHIBA
24+
N/A
3000
只做原装 有挂有货 假一罚十
TOSHIBA/东芝
24+
SOT-323
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
Toshiba
19+
UFM
200000
TOSHIBA
22+
SOT-323
20000
公司只做原装 品质保证
TOSHIBA
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
TOSHIBA
1230
SOT323
1200
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
TOSHIBA
24+
UFM
11800
原装现货假一罚十
TOSHIBA/东芝
24+
SOT-323F
60000

SSM3K127TULF(T数据表相关新闻