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SSM3J338R

MOSFETs Silicon P-Channel MOS

Applications • Power Management Switches Features (1) 1.8 V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 26.3 mΩ (typ.) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 20.1 mΩ (typ.) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 15.9 mΩ (typ.) (@VGS = -4.5 V)

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SSM3J338R

MOSFETs Silicon P-Channel MOS

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东芝

SSM3J338R

Small Low ON resistance MOSFETs

TOSHIBA

东芝

MOSFETs Silicon P-Channel MOS

Applications • Power Management Switches Features (1) 1.8 V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 26.3 mΩ (typ.) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 20.1 mΩ (typ.) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 15.9 mΩ (typ.) (@VGS = -4.5 V)

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东芝

更新时间:2026-1-4 23:01:00
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