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MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI)

Applications • Power Management Switches Features (1) 1.5-V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 150 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 100 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 75 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 55 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)

TOSHIBA

东芝

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested APPLICATIONS • For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch - DC/DC Converter

VBSEMI

微碧半导体

Power Management Switches

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TOSHIBA

东芝

High Voltage Ceramic Disc Capacitors, Rated 4 to 15 kVDC, Temp. Char. Y5T

文件:141.6 Kbytes Page:2 Pages

Panasonic

松下

更新时间:2025-11-2 23:00:01
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TOSHIBA/东芝
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