型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SSM3J109TU

Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type Power Management Switch Applications High-Speed Switching Applications

○ Power Management Switch Applications ○ High-Speed Switching Applications • 1.8 V drive • Low ON-resistance: Ron = 300 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) Ron = 172 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) Ron = 130 mΩ (max) (@VGS = -4.0 V)

TOSHIBA

东芝

SSM3J109TU

Small-signal MOSFET

TOSHIBA

东芝

SSM3J109TU产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SSM3J109TU

  • 功能描述

    MOSFET INCORRECT MOUSER P/N 3Pin

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-28 13:40:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
2025+
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