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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, p | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 |   | ||
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Extremely Low Qgd for Switching Losses • 100 Rg Tested • 100 Avalanche Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Primary Side Switch | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Extremely Low Qgd for Switching Losses • 100 Rg Tested • 100 Avalanche Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Primary Side Switch | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Extremely Low Qgd for Switching Losses • 100 Rg Tested • 100 Avalanche Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Primary Side Switch | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
P-Channel Mode Power MOSFET DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET 文件：684.02 Kbytes Page：4 Pages | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | | ||
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Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.02752 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
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50 AMP 600 VOLTS FAST POWER IGBT 文件：31.41 Kbytes Page：2 Pages | SSDI | | ||
50 AMP 600 VOLTS FAST POWER IGBT 文件：31.41 Kbytes Page：2 Pages | SSDI | | ||
50 AMP 600 VOLTS FAST POWER IGBT 文件：31.41 Kbytes Page：2 Pages | SSDI | | ||
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N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 文件：508.33 Kbytes Page：4 Pages | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | | ||
N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.20804 Mbytes Page：4 Pages | DOINGTER 杜因特 | | ||
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N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 文件：474.68 Kbytes Page：4 Pages | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | | ||
N-Channel 200 V (D-S) MOSFET 文件：1.65752 Mbytes Page：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
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N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 文件：1.89664 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
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N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 文件：1.89665 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
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P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 文件：965.19 Kbytes Page：3 Pages | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | | ||
P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 文件：965.19 Kbytes Page：3 Pages | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | | ||
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N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 文件：283.77 Kbytes Page：3 Pages | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | | ||
P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET 文件：473.73 Kbytes Page：4 Pages | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | | ||
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P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 文件：262.58 Kbytes Page：3 Pages | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | | ||
-15A, -30V, RDS(ON) 9 m P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 文件：548.39 Kbytes Page：4 Pages | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | | ||
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.84554 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 文件：548.39 Kbytes Page：4 Pages | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | | ||
P-Channel Mode Power MOSFET 文件：130.18 Kbytes Page：2 Pages | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | | ||
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.82843 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
P-Channel Mode Power MOSFET 文件：130.18 Kbytes Page：2 Pages | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET 文件：327.75 Kbytes Page：5 Pages | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | | ||
N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 文件：840.04 Kbytes Page：5 Pages | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | | ||
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N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.3876 Mbytes Page：4 Pages | DOINGTER 杜因特 | | ||
N-Channel 20V (D-S) MOSFET 文件：1.85867 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
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SSG4产品属性
- 类型
描述
- 型号
SSG4
- 制造商
SECOS
- 制造商全称
SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
- 功能描述
N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Secos |
20+ |
SOP-8 |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
SSS |
24+ |
NA/ |
12000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
SSS |
0806+ |
TSSOP8 |
1550 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
SECOS |
2022+ |
SOP-8 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
|||
SSS |
23+ |
TSSOP8 |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
|||
SeCoS |
23+ |
SOP8 |
45000 |
原装正品现货 |
|||
SECOS |
25+ |
SOP |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
SOP-8 |
986966 |
国产 |
|||
SSS |
2020+ |
TSSOP-8 |
12000 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
VBsemi |
24+ |
SOP8 |
18000 |
假一赔百原装正品价格优势实单可谈 |
SSG4规格书下载地址
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- SSG42N60PDB
- SSG42N60P
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SSG4数据表相关新闻
SSG9960
SSG9960
2021-10-21SSFN3317
SSFN3317,全新.当天发货或门市自取，如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一企鹅:一一七四零五二三五三，V:八七六八零五五八.
2021-7-22SSL00-30S原装现货
深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机：17727572380 。 电 话：0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号：15096137729。
2019-11-13SSFM2508
SSFM2508，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-10-23SSFM2506
SSFM2506，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-10-23SSI34P3402A-模拟杂项
SSI34P3402A设备是一种高性能BiCMOS单芯片均包含所有的读取通道IC要实现一个自适应的功能门槛读取通道。功能模块包括脉冲检测器自适应阈值限定符，可编程过滤器，和数据同步。原始数据8日至53 Mbit / s的速率，可以通过数字编程命令。SSI34P3402A允许在读完整的灵活性通道配置。所有关键参数都可以由微处理器通过一个双向的编程串行端口和一个银行内部寄存器。SSI34P3402A利用先进的BiCMOS随着工艺技术先进的电路设计结果在一个高性能的设备技术与低功耗。 特点 •8日至53 Mbit / s的原始数据速率 &
2012-12-19
DdatasheetPDF页码索引
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