内置上拉电阻的高灵敏度锁存数字式霍尔效应传感器集成电路。SOT-23、扁平 TO-92 型，带直型或成型引脚封装

配备内置上拉电阻的 SS360PT、SS460P 和 SS460P-T2 高灵敏度锁存霍尔效应传感器集成电路是灵敏通用的小型装置，由永磁体或者电磁体提供的磁场进行操作。他们可对变换的南北极作出响应。SS360PT 通过北极开启，SS460P 和 SS460P-T2 通过南极开启。\r\n\r\n该产品提供了可靠的切换点，磁灵敏度一般高达 30 G。（最大 G 值 55）。该传感器集成电路不使用霍尔元件上的斩波器稳定功能，从而提供清晰的输出信号，而且与使用斩波器稳定功能且极具竞争力的高灵敏度霍尔效应锁存传感器集成电路相比，可获得更快的锁存器响应时间。\r\n\r\n有了内部的上拉电阻，通常便不再

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 功能：卡销 包装：散装 描述：MAGNETIC SWITCH LATCH TO92 传感器，变送器 磁性传感器 - 开关（固态）

High Sensitivity Latching Digital Hall-Effect Sensor ICs with Built-in Pull-up Resistor

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内置上拉电阻的高灵敏度锁存数字式霍尔效应传感器集成电路。SOT-23、扁平 TO-92 型，带直型或成型引脚封装

配备内置上拉电阻的 SS360PT、SS460P 和 SS460P-T2 高灵敏度锁存霍尔效应传感器集成电路是灵敏通用的小型装置，由永磁体或者电磁体提供的磁场进行操作。他们可对变换的南北极作出响应。SS360PT 通过北极开启，SS460P 和 SS460P-T2 通过南极开启。\r\n\r\n该产品提供了可靠的切换点，磁灵敏度一般高达 30 G。（最大 G 值 55）。该传感器集成电路不使用霍尔元件上的斩波器稳定功能，从而提供清晰的输出信号，而且与使用斩波器稳定功能且极具竞争力的高灵敏度霍尔效应锁存传感器集成电路相比，可获得更快的锁存器响应时间。\r\n\r\n有了内部的上拉电阻，通常便不再

包装：散装 描述：MAGNETIC SWITCH SOLID STATE SENS 传感器，变送器 磁性传感器 - 开关（固态）

PowerMOS transistors Avalanche energy rated

GENERAL DESCRIPTION N-channel, enhancement mode field-effect power transistor, intended for use in off-line switched mode power supplies, T.V. and computer monitor power supplies, d.c. to d.c. converters, motorcontrol circuits and general purpose switching applications. The IRFP460 is supplied i

Silicon P-Channel JFET Transistor AF Amp

Absolute Maximum Ratings: Drain–Gate Voltage, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V Reverse Gate–Source Voltage, VGSR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V Gate Current, IG . . . . . . .

Square Type

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Square Type

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ULTRAFAST RECTIFIERS 4.0 AMPERES 200-600 VOLTS

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