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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SRI512-A5T/1GE | SRI512-A5T/1GE | Atmel Atmel |   |
SRI512-A5T/1GE产品属性
- 类型
描述
- 型号
SRI512-A5T/1GE
- 功能描述
电可擦除可编程只读存储器 E-EPROM
- RoHS
否
- 制造商
Atmel
- 存储容量
2 Kbit
- 组织
256 B x 8
- 数据保留
100 yr
- 最大时钟频率
1000 KHz
- 最大工作电流
6 uA
- 工作电源电压
1.7 V to 5.5 V
- 最大工作温度
+ 85 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
SOIC-8
更新时间：2026-2-11 16:26:02
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
JST/日压 |
2508+ |
/ |
473077 |
一级代理，原装现货 |
|||
CECPS |
24+ |
NA |
5000 |
只做原装力挺实单 |
|||
JST/日压 |
22+ |
连接器 |
244506 |
代理-优势-原装-正品-现货*期货 |
|||
STM |
1708+ |
? |
7500 |
只做原装进口,假一罚十 |
|||
JST |
2022+ |
3000 |
只做原装，可提供样品 |
||||
CECPS |
22+ |
NA |
20000 |
只做原装 品质保障 |
|||
MOTOROLA |
26+ |
SOP8 |
9526 |
代理全系列销售, 全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
|||
JST |
24+ |
con |
10000 |
查现货到京北通宇商城 |
|||
ST/意法 |
23+ |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
||||
SONGLE/松乐 |
23+ |
DIP |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
SRI512-A5T/1GE芯片相关品牌
SRI512-A5T/1GE规格书下载地址
SRI512-A5T/1GE参数引脚图相关
- tda2003功放电路图
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- t2222
- t2010
- t100k
- sw-262
- stm32f103
- stm32
- stk
- stc89c52rc
- stc12c5a60s2
- st70
- st18
- sst25vf040
- SRL1050
- SRL1045
- SRL1040
- SRL1035
- SRL1030
- SRL-05A
- SRL05A
- SRK7002
- SRK2001
- SRK2000
- SRK-16H
- SRK-16C
- SRK-16
- SRK-10H
- SRK-10C
- SRK1000
- SRK-10
- SRJ-16
- SRJ-10
- SRIX4K-A3T/1GE
- SRIX4K-A3T
- SRIX4K-A3S/1GE
- SRIX4K-A3S
- SRIX4K_11
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- SRIX4K
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- SRIO-PM-U1
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- SRIO-E3-U1
- SRI52-A4
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- SRI512-W4/1GE
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- SRI512-SBN181GE
- SRI512-SBN18/1GE
- SRI512SBN18
- SRI512-A9S2U/2GE
- SRI512A5T
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- SRH20F
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SRI512-A5T/1GE数据表相关新闻
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2024-1-10SRF1280-100M 屏蔽 2 线圈电感器阵列 40 µH 电感 - 串联连接 10 µH 电感 - 并联连接 24.1 毫欧最大 直流电阻 (DCR) - 并联 6.04 A 非标准
SRF1280-100M
2023-3-7SRF0703-4R7M 屏蔽 2 线圈电感器阵列 18.8 µH 电感 - 串联连接 4.7 µH 电感 - 并联连接 40.6 毫欧最大 直流电阻 (DCR) - 并联 3.09 A 非标准
SRF0703-4R7M
2023-3-7SRMX6QDW00D02GE000V15C0深圳现货
SRMX6QDW00D02GE000V15C0深圳现货
2022-7-5SRF0905A-102Y-Bourns-芯立源电子
SRF0905A-102Y-Bourns-芯立源电子
2020-8-11SRM4010-直流转换器
该模块是一个完整的SRM4010解决方案实施非常高效率同步整流和消除了许多问题与selfdriven方法。该模块连接到变压器次级的转发转换器提供完整的高电流在整流输出电压范围从5伏到1.0伏下来，在高热效表面贴装封装。整流效率高达95％达到避免交叉传导。专用IC提供了有效栅驱动超低RDS（ON）中所用的MOSFET模块。在传统的自驱动临近，MOSFET驱动尽快结束作为电力变压器完成复位。这将导致增加的占空比损失减少。控制电路的SRM4010无论是正向或驱动器的产量在几乎整个MOSFET的占空比。只有一小预测的时间，通常为100 ns，才能避免交叉传导。在SRM4010是设计用于处理大占空比的突
2013-2-11
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