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N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFET

RFPowerFieldEffectTransistors N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs DesignedforW-CDMAandLTEbasestationapplicationswithfrequenciesfrom750to820MHz.CanbeusedinClassABandClassCforalltypicalcellularbasestationmodulationformats. •TypicalSingle--CarrierW--C

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp
更新时间:2024-10-31 20:00:01
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