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RFPowerFieldEffectTransistors

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforN-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1930to1990MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellularradioandWLLapplicat

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飞思卡尔

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更新时间:2024-6-5 16:25:01
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