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SR05P04

VD MOS

SALLTECH

萨瑞微电子

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -40V, -82A, RDS(ON) = 6.5 mW @VGS = -10V. RDS(ON) = 10 mW @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. RoHS compliant.

CET-MOS

华瑞

更新时间:2025-12-26 23:01:00
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