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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SQ4946EY | Dual N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：117.3 Kbytes Page：9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
SQ4946EY | Automotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：1.92051 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The 4946 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features ● High power and current handing capability ● Lead | TUOFENG 拓锋半导体 | | ||
VHB™ Tape Specialty Tapes 文件：533.41 Kbytes Page：9 Pages | 3M | | ||
Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：1.09215 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
VHB Tape - Specialty Tapes 文件：735.51 Kbytes Page：9 Pages | 3M | | ||
Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：1.95065 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
SQ4946EY产品属性
- 类型
描述
- 型号
SQ4946EY
- 功能描述
MOSFET 60V 4.5A 2.4W 55mohm @ 10V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
31914 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
VISHAY |
11+ |
SOP |
5000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
Vishay Siliconix |
22+ |
8SO |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
VISHAY/威世 |
2450+ |
SOP-8 |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
VISHAY |
08+ |
SOP8 |
3300 |
全新原装现货绝对自己公司特价库 |
|||
VISHAY |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
VISHAY |
25+ |
TO-263 |
86720 |
代理授权原装正品价格最实惠 本公司承诺假一赔百 |
|||
VISHAY/威世 |
21+ |
SOIC-8 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
VIS |
23+ |
SOIC-8 |
34283 |
原装正品,假一罚十 |
|||
Vishay Siliconix |
25+ |
8-SOIC(0.154 3.90mm 宽) |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
SQ4946EY规格书下载地址
SQ4946EY参数引脚图相关
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原装正品 假一罚十
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2020-10-29
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