SPW52N50C3价格

参考价格:¥40.2390

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SPW52N50C3

Cool MOS??Power Transistor

Feature • New revolutionary high voltage technology • Worldwide best RDS(on) in TO 247 • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances • Improved transconductance

Infineon

英飞凌

SPW52N50C3

N-Channel MOSFET Transistor

• DESCRITION • Improved Transconductance • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤70mΩ • Enhancement mode: • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

ISC

无锡固电

SPW52N50C3

N-Channel 500V (D-S) Super Junction Power MOSFET

文件:1.06897 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SPW52N50C3

500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道功率 MOSFET

Infineon

英飞凌

SPW52N50C3

CoolMOS??Power Transistor

文件:615.28 Kbytes Page:12 Pages

Infineon

英飞凌

CoolMOS??Power Transistor

文件:615.28 Kbytes Page:12 Pages

Infineon

英飞凌

N-Channel MOSFET Transistor

• DESCRITION • Improved Transconductance • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤70mΩ • Enhancement mode: • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

ISC

无锡固电

SPW52N50C3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SPW52N50C3

  • 功能描述

    MOSFET COOL MOS N-CH 560V 52A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-3 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
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5680
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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