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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SPP11N60CFD | CoolMOS??PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Intrinsicfast-recoverybodydiode •Extremelowreverserecoverycharge | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
SPP11N60CFD | N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.44Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | |
SPP11N60CFD | N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES •Reducedtrr,Qrr,andIRRM •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •LowswitchinglossesduetoreducedQrr •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | |
SPP11N60CFD | CoolMOS??PowerTransistorFeatureNewrevolutionaryhighvoltagetechnology 文件：680.24 Kbytes Page：12 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
SPP11N60CFD | CoolMOSPowerTransistor 文件：647.24 Kbytes Page：12 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
CoolMOS??PowerTransistorFeatureNewrevolutionaryhighvoltagetechnology 文件：680.24 Kbytes Page：12 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
CoolMOSPowerTransistor 文件：647.24 Kbytes Page：12 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
N-Channel650V(D-S)MOSFET 文件：1.85356 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
N-Channel650V(D-S)MOSFET 文件：1.03276 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET 文件：1.94216 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
N-CHANNELDEPLETION-MODEPOWERMOSFET 文件：220.51 Kbytes Page：6 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 |  | | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：297.95 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | |
SPP11N60CFD产品属性
- 类型
描述
- 型号
SPP11N60CFD
- 功能描述
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
CoolMOS™
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEO |
2020+ |
TO220 |
3 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
INFINEON |
2023+ |
TO220 |
3625 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2021+ |
TO-220 |
17704 |
原装进口假一罚十 |
|||
Infineon |
23+ |
TO-220AB |
7750 |
全新原装优势 |
|||
INFINEON |
0807+ |
TO220 |
6000 |
绝对原装自己现货 |
|||
INFINEON |
TO-220铁头 |
699839 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
||||
Infineon/英飞凌 |
2021+ |
PG-TO220-3 |
9600 |
原装现货，欢迎询价 |
|||
INFINEON |
23+ |
T0-220 |
7936 |
||||
Infineon |
2308+ |
394657 |
一级代理,原装正品,公司现货! |
||||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO220-3 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
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SPP11N60CFD规格书下载地址
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