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SPD4946SMS

1 A, 600 V Fast Recovery Rectifier

SSDI

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The 4946 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features ● High power and current handing capability ● Lead

TUOFENG

拓锋半导体

VHB™ Tape Specialty Tapes

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3M

Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

VHB Tape - Specialty Tapes

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Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET

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微碧半导体

更新时间:2025-11-23 23:00:00
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