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SPD04N60C3价格
参考价格：￥3.9439
型号：SPD04N60C3 品牌：INFINEON 备注：这里有SPD04N60C3多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SPD04N60C3批发/采购报价，SPD04N60C3行情走势销售排行榜，SPD04N60C3报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SPD04N60C3 | Cool MOS Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Improved transconductance | Infineon 英飞凌 |   | |
SPD04N60C3 | N-Channel MOSFET Transistor • DESCRITION • High peak current capability • Improved transconductance • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤0.95Ω • Enhancement mode: • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation | ISC 无锡固电 | | |
SPD04N60C3 | Cool MOS Power Transistor 文件：749.88 Kbytes Page：13 Pages | Infineon 英飞凌 | | |
SPD04N60C3 | Cool MOS Power Transistor 文件：868.93 Kbytes Page：13 Pages | Infineon 英飞凌 | | |
SPD04N60C3 | 500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道功率 MOSFET | Infineon 英飞凌 | | |
Cool MOS Power Transistor 文件：749.88 Kbytes Page：13 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
Cool MOS Power Transistor 文件：868.93 Kbytes Page：13 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
N-Channel MOSFET Transistor • DESCRITION • High peak current capability • Improved transconductance • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤0.95Ω • Enhancement mode: • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation | ISC 无锡固电 | | ||
Cool MOS Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Improved transconductance • P-TO-220-3-31: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute) | Infineon 英飞凌 | | ||
N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.94936 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET 文件：2.1288 Mbytes Page：10 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel MOSFET Transistor 文件：339.31 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | |
SPD04N60C3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SPD04N60C3
- 功能描述
MOSFET COOL MOS N-CH 650V 4.5A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineontechnologies |
24+ |
原厂原装 |
5850 |
原装正品现货 库存价特价出货 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
25650 |
新到现货,只做原装进口 |
||||
INFINEON |
24+ |
TO-252 |
9518 |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
|||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-252 |
9000 |
原装正品,支持实单! |
|||
INFINEON |
17+ |
AA |
6200 |
100%原装正品现货 |
|||
INFINEON |
2016+ |
TO252 |
6000 |
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票! |
|||
INFINE0N |
23+ |
TO-252 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO-252 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
|||
英飞凌进口 |
NEW |
TO-252 |
21601 |
全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2450+ |
TO-252 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
SPD04N60C3规格书下载地址
SPD04N60C3参数引脚图相关
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2019-6-18
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