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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
OptiMOSPower-Transistor Feature •N-Channel •Enhancementmode •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •dv/dtrated | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：363.18 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
OptiMOSPower-Transistor 文件：310.05 Kbytes Page：8 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：363.12 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | | |
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SPB80N08S2产品属性
- 类型
描述
- 型号
SPB80N08S2
- 功能描述
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
OptiMOS™
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
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|||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
|||
INFINEON |
TO263-3-2 |
22+ |
10000 |
终端免费提供样品 可开13%增值税发票 |
|||
INFINEON |
21+ |
TO-263 |
30490 |
原装现货库存 |
|||
INFINE0N |
23+ |
TO-263 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
INFINEON |
2022+ |
TO-263 |
57550 |
||||
INFINEON |
21+ |
TO-263 |
1629 |
原装现货假一赔十 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
SOT-263 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
||||
INFINEO |
2020+ |
TO-263 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
NA/ |
3000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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SPB17N80C3BSZ520N15NS3G电信，供电系统
2019-8-6SPA20N60CFD-CoolMOS功率晶体管
特点•新的革命高电压技术•内在的快速恢复体二极管•极低的反向恢复电荷•超低栅极电荷•至尊的dv/dt的额定•高峰值电流能力•定期雪崩额定•合格的为工业级应用根据JEDEC0）•无铅引脚电镀，符合RoHS标准
2012-11-10
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