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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SPB80N06S2L-05 | OptiMOSPower-Transistor 文件：415.78 Kbytes Page：8 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
OptiMOSPower-Transistor 文件：163.8 Kbytes Page：8 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
OptiMOSPower-Transistor 文件：163.8 Kbytes Page：8 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
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OptiMOSPower-Transistor 文件：415.78 Kbytes Page：8 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
SPB80N06S2L-05产品属性
- 类型
描述
- 型号
SPB80N06S2L-05
- 功能描述
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
OptiMOS™
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
infineon |
2023+ |
P-TO263-3-2 |
16800 |
芯为只有原装,公司现货 |
|||
INFINEON |
1816+ |
. |
6523 |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
|||
Infineon |
2023+ |
TO-263-2 |
5425 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
|||
infineon |
2020+ |
P-TO263-3-2 |
16800 |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
|||
INFINEON/英飞凌 |
21+23+ |
SOT263 |
5000 |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
|||
INFINEON |
TO263 |
699839 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
||||
INFINE0N |
23+ |
TO-263 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
SOT263 |
23600 |
十年以上分销商原装进口件服务型企业0755-83790645 |
|||
INFINEON |
24+ |
TO-263 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理 |
|||
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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2019-12-16SPB17N80C3BSZ520N15NS3G特价热销
SPB17N80C3BSZ520N15NS3G电信，供电系统
2019-8-6SPA20N60CFD-CoolMOS功率晶体管
特点•新的革命高电压技术•内在的快速恢复体二极管•极低的反向恢复电荷•超低栅极电荷•至尊的dv/dt的额定•高峰值电流能力•定期雪崩额定•合格的为工业级应用根据JEDEC0）•无铅引脚电镀，符合RoHS标准
2012-11-10
DdatasheetPDF页码索引
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