位置:首页 > IC中文资料 > SP33R6

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SP33R6

0.2pF, 12kV, 0.6V Breakdown Avalanche Diode for Ultra High Speed Interfaces

Description Benchmark setting breakdown voltage performance, protecting sub 20 nm I/O’s. Finer geometry chip designs run the risk of damage at voltage levels higher than 3.3V. The SP33R6 is a breakdown avalanche diode for ultra high speed interfaces and it provides headroom to support all of

LITTELFUSE

力特

丝印代码:AUG;0.2pF, 12kV, 0.6V Breakdown Avalanche Diode for Ultra High Speed Interfaces

Description Benchmark setting breakdown voltage performance, protecting sub 20 nm I/O’s. Finer geometry chip designs run the risk of damage at voltage levels higher than 3.3V. The SP33R6 is a breakdown avalanche diode for ultra high speed interfaces and it provides headroom to support all of

LITTELFUSE

力特

低电容ESD保护

Littelfuse产品并非为相关Littelfuse产品文件中明确说明的用途以外的其他用途而设计,也不应被用于这些用途(包括但不限于汽车、军事、航空航天、医疗、救生、维生或核设施应用、用于手术植入体内的装置、或者在产品故障或运行无法达到理想状态的情况下会造成人身伤害、死亡或财产损失的任何其他应用)。 如果将产品用于相关Littelfuse文件中未明确说明的任何其他用途,则产品不享受Littelfuse质保。 如果将产品用于相关Littelfuse文件中未明确说明的其他用途,则Littelfuse不会为因此造成的任何索赔或损失承担责任。 除非经Littelfuse另行许可,否则Littelfu • ESD,IEC 61000-4-2,±12kV接触放电,±15kV空气放电 \n• EFT,IEC 61000-4-4,40A(5/50ns) \n• 雷击,3A (IEC 61000-4-5第2版中定义的8/20μs) \n• 低电容:每次输入/输出的电容为0.2pF (TYP) \n• 无卤素,无铅,符合RoHS要求;

LITTELFUSE

力特

封装/外壳:10-UFDFN 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TVS DIODE ARRAY 12KV UDFN-10L 电路保护 TVS - 二极管

LITTELFUSE

力特

SP33R6数据表相关新闻