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MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.105 Ω (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (2) High-speed switching properties with lower capacitance. (3) Enhancement mode: Vth = 2.5 to 3.5 V (VDS = 10 V, ID = 1.2 mA)

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-12-27 11:14:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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