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P沟道MOSFET

SSGSEMI

世晶半导体

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE20P07N uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications .It is ESD protested. General Features ● VDS = -20V,ID =-7A RDS(ON)

NCEPOWER

新洁能

20A, 50V - 1000V Glass Passivated Bridge Rectifiers

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TSC

台湾半导体

Glass Passivated Bridge Rectifiers

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TSC

台湾半导体

Single Phase 20.0 AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers

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TSC

台湾半导体

Single Phase 20.0 AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers

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TSC

台湾半导体

更新时间:2025-12-31 10:19:00
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