| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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IGBT - Field Stop, Trench 650 V, 60 A 文件：677.61 Kbytes Page：9 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | ||
High Speed Fieldstop Trench IGBT Second Generation 文件：590.18 Kbytes Page：8 Pages | MGCHIP | | ||
High Speed Fieldstop Trench IGBT Second Generation 文件：590.18 Kbytes Page：8 Pages | MGCHIP | |
更新时间：2025-12-27 17:01:01
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MAGNACHIP(美格纳) |
24+ |
N/A |
9048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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Bychip/百域芯 |
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SOD-123 |
30000 |
优势供应 品质保障 可开13点发票 |
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有有主力推 |
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一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理 |
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SOD123 |
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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ON/安森美 |
22+ |
DO-219AB |
20000 |
公司只有原装 品质保障 |
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MCC |
SOD-123 |
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一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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特点 •可编程输出电压为36伏特 •灌电流能力的一点○毫安至100mA •典型的低动态阻抗0.15Ω •温度补偿操作的全额定工作温度 •相当于全范围温度为50ppm/ ° C（典型值）系数 •低输出噪声电压 •电压参考公差：±1.0％（打= 25℃） 应用 办公室 通信设备 测量设备 国内电气化等
2013-3-15
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