| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Silicon N-Channel Power MOSFET General Description： CS50N20 ANH, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for sys | HUAJING-MICRO 华润微电子 |   | ||
Silicon N-Channel Power MOSFET General Description： CS50N20 ANH, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for sys | HUAJING-MICRO 华润微电子 | | ||
Fast Switching Speed 文件：49.56 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel MOSFET in a TO-3P Plastic Package 文件：870.58 Kbytes Page：6 Pages | FOSHAN 蓝箭电子 | | ||
High Voltage Power Supplies 文件：109.45 Kbytes Page：2 Pages | TDK 东电化 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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CRYSTAL |
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2020-6-5SL431AM-可编程电压基准
特点 •可编程输出电压为36伏特 •灌电流能力的一点○毫安至100mA •典型的低动态阻抗0.15Ω •温度补偿操作的全额定工作温度 •相当于全范围温度为50ppm/ ° C（典型值）系数 •低输出噪声电压 •电压参考公差：±1.0％（打= 25℃） 应用 办公室 通信设备 测量设备 国内电气化等
2013-3-15
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