SIZ916DT-T1-GE3价格

参考价格:¥5.0135

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

文件:270.54 Kbytes Page:14 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIZ916DT-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIZ916DT-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 30V 1.3mOhm@10V 40A N-Ch G-IV

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-23 15:30:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FREESCAL
24+
BGA
10
NA
23+
QFP
65480
Vishay(威世)
2511
N/A
11800
电子元器件采购降本 30%!原厂直采,砍掉中间差价
Vishay(威世)
2021/2022+
标准封装
6500
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
VishayVishay
NEW-
MOSFETs
100000
Trans MOSFET N-CH 30V 28A/49A 8-Pin PowerPAIR EP T
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