SIZ916DT-T1-GE3价格

参考价格:¥5.0135

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

DualN-Channel30V(D-S)MOSFETwithSchottkyDiode

文件:270.54 Kbytes Page:14 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

SIZ916DT-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIZ916DT-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 30V 1.3mOhm@10V 40A N-Ch G-IV

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-16 15:50:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Vishay(威世)
23+
N/A
11800
Vishay(威世)
N/A
33800
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VishayVishay
NEW-
MOSFETs
100000
Trans MOSFET N-CH 30V 28A/49A 8-Pin PowerPAIR EP T
FREESCAL
0604+
BGA
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