型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SII75N06

NPT IGBT Modules

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SIRECTIFIER

矽莱克电子

SII75N06

NPT IGBT Modules

SIRECTIFIER

矽莱克电子

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

FEATURES • 175 °C Junction Temperature • TrenchFET® Power MOSFET • Material categorization:

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Lead-Free,RoHS Compliant Description: The ADM75N06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with

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爱德微

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 60V, 87A, RDS(ON) = 12mΩ @VGS = 10V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-220 & TO-263 package.

CET

华瑞

Fast Switching Speed

文件:65.68 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:1.27408 Mbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SII75N06产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SII75N06

  • 制造商

    SIRECTIFIER

  • 制造商全称

    Sirectifier Semiconductors

  • 功能描述

    NPT IGBT Modules

更新时间:2025-11-27 16:22:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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