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Schottky Barrier Diodes TM Ultra High Drive Monolithic DESCRIPTION Microsemi’s Schottky Barrier devices are currently available in the eight junction ring quad configuration. Devices are available in monolithic form for hybrid applications as well as in hermetic or non-hermetic packages. Monolithic devices are recommended for highest frequency, broad | Microsemi 美高森美 | |||
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SiGe High-Linearity, 815MHz to 995MHz Downconversion Mixer with LO Buffer/Switch 文件:1.03203 Mbytes Page:12 Pages | Maxim 美信 |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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LEMO |
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LEMOUSA |
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SI9934DY-T1-E3现货经营/实单欢迎洽谈
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2020-9-18SI9945BDY-T1-GE3原装现货
瀚佳科技(深圳)有限公司 专业进口电子元器件代理商
2020-7-30SIA413DJ-T1-GE3原装现货
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2020-7-30SI9987-缓冲H桥
该Si9987是一个综合的,缓冲的H -桥与TTL兼容的输入和提供持续的能力1.0一个在VDD =5.0 V的(室温)的交换速率高达至500千赫。内部逻辑防止上下产出任半同时被开启桥。独特允许两个输出输入代码将被迫低(制动)或...强制为高阻抗的水平。该Si9987是提供8引脚SOIC封装,指定操作过电压范围为3.8 V至13.2 V,和在0至70摄氏度(丙后缀)和商业温度范围鈥到85℃(D后缀)。 特点 1.0的H-桥 500 kHz的开关频率 贯通有限公司 TTL兼容输入 3.8至13
2013-2-7Si9976-N沟道半桥式驱动器
描述 该Si9976DY是一个N沟道集成的驱动器MOSFET的半桥。施密特触发器输入提供逻辑信号兼容性和滞后的噪音增加免疫力。内部低电压稳压器允许器件对供电系统从20到40五,直接供应两个半桥式N通道闸直接驱动低阻抗输出。另外一个外部电容允许将这两个级别的电源内部电路...和逻辑信号半桥高端N-通道闸驱动器。内部电荷泵代替泄漏电流损失在高侧驱动器电路,以提供“静态“(DC)的操作在任何输出条件。保护功能包括一欠压锁定,交叉传导预防的逻辑,短路显示器。该Si9976DY是可用14引脚SOIC(表面贴装)封装,规定工作在工业(-40至85 ° C)温度范围。...
2013-2-7
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