| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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Electronic,2C#20StrTC,PVC-NYLIns,OATCBrd,PVCJkt ProductDescription Electronic,2Conductor20AWG(19x32)TinnedCopper,PVC-NYLInsulation,OverallTinnedCopperBraid(90)Shield,PVCOuterJacket | BELDENBelden Inc. 百通电缆设计科技有限公司 |  |   | |
N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcosteffectiveness. TheTO-252packageiswidelypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvo | A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司 |  | | |
DualN-Channel60V(D-S)175째CMOSFET 文件：1.08472 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
DualN-Channel60V(D-S)175째CMOSFET 文件：1.0847 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
DualN-Channel60V(D-S)175째CMOSFET 文件：1.08464 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2020-9-18SI9945BDY-T1-GE3原装现货
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2020-7-30SI9987-缓冲H桥
该Si9987是一个综合的，缓冲的H-桥与TTL兼容的输入和提供持续的能力1.0一个在VDD=5.0V的（室温）的交换速率高达至500千赫。内部逻辑防止上下产出任半同时被开启桥。独特允许两个输出输入代码将被迫低（制动）或...强制为高阻抗的水平。该Si9987是提供8引脚SOIC封装，指定操作过电压范围为3.8V至13.2V，和在0至70摄氏度（丙后缀）和商业温度范围鈥到85℃（D后缀）。特点1.0的H-桥500kHz的开关频率贯通有限公司TTL兼容输入3.8至13
2013-2-7Si9976-N沟道半桥式驱动器
描述该Si9976DY是一个N沟道集成的驱动器MOSFET的半桥。施密特触发器输入提供逻辑信号兼容性和滞后的噪音增加免疫力。内部低电压稳压器允许器件对供电系统从20到40五，直接供应两个半桥式N通道闸直接驱动低阻抗输出。另外一个外部电容允许将这两个级别的电源内部电路...和逻辑信号半桥高端N-通道闸驱动器。内部电荷泵代替泄漏电流损失在高侧驱动器电路，以提供“静态“（DC）的操作在任何输出条件。保护功能包括一欠压锁定，交叉传导预防的逻辑，短路显示器。该Si9976DY是可用14引脚SOIC（表面贴装）封装，规定工作在工业（-40至85°C）温度范围。...
2013-2-7
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