型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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PowerMOSFET(Vdss=-30V,Rds(on)=0.25ohm) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide | IRF International Rectifier | |||
Electronic,3C#16StrTC,PVC-NYLIns,OATCBrd,PVCJkt ProductDescription Electronic,3Conductor16AWG(19x29)TinnedCopper,PVC-NYLInsulation,OverallTinnedCopperBraid(90)Shield,PVCOuterJacket | BELDENBelden Inc. 百通电缆设计科技有限公司 | |||
DualP-ChannelEnhancementModeMOSFET FEATURES ■-30V,-2.9A,RDS(ON)=100mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=150mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■SurfacemountPackage. | CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司 | |||
400MSPS14-Bit,1.8VCMOSDirectDigitalSynthesizer GENERALDESCRIPTION TheAD9953isadirectdigitalsynthesizer(DDS)featuringa14-bitDACoperatingupto400MSPS.TheAD9953usesadvancedDDStechnology,coupledwithaninternalhighspeed,highperformanceDACtoformadigitallyprogrammable,completehighfrequencysynthesizercapableof | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | |||
400MSPS,14-Bit,1.8VCMOSDirectDigitalSynthesizer 文件:648.08 Kbytes Page:32 Pages | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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SI9934DY-T1-E3现货经营/实单欢迎洽谈
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2020-9-18SI9945BDY-T1-GE3原装现货
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2020-7-30SI9987-缓冲H桥
该Si9987是一个综合的,缓冲的H-桥与TTL兼容的输入和提供持续的能力1.0一个在VDD=5.0V的(室温)的交换速率高达至500千赫。内部逻辑防止上下产出任半同时被开启桥。独特允许两个输出输入代码将被迫低(制动)或...强制为高阻抗的水平。该Si9987是提供8引脚SOIC封装,指定操作过电压范围为3.8V至13.2V,和在0至70摄氏度(丙后缀)和商业温度范围鈥到85℃(D后缀)。特点1.0的H-桥500kHz的开关频率贯通有限公司TTL兼容输入3.8至13
2013-2-7Si9976-N沟道半桥式驱动器
描述该Si9976DY是一个N沟道集成的驱动器MOSFET的半桥。施密特触发器输入提供逻辑信号兼容性和滞后的噪音增加免疫力。内部低电压稳压器允许器件对供电系统从20到40五,直接供应两个半桥式N通道闸直接驱动低阻抗输出。另外一个外部电容允许将这两个级别的电源内部电路...和逻辑信号半桥高端N-通道闸驱动器。内部电荷泵代替泄漏电流损失在高侧驱动器电路,以提供“静态“(DC)的操作在任何输出条件。保护功能包括一欠压锁定,交叉传导预防的逻辑,短路显示器。该Si9976DY是可用14引脚SOIC(表面贴装)封装,规定工作在工业(-40至85°C)温度范围。...
2013-2-7
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