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9953	PowerMOSFET(Vdss=-30V,Rds(on)=0.25ohm) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
9953	Electronic,3C#16StrTC,PVC-NYLIns,OATCBrd,PVCJkt ProductDescription Electronic,3Conductor16AWG(19x29)TinnedCopper,PVC-NYLInsulation,OverallTinnedCopperBraid(90)Shield,PVCOuterJacket	BELDENBelden Inc. 百通电缆设计科技有限公司
9953A	DualP-ChannelEnhancementModeMOSFET FEATURES ■-30V,-2.9A,RDS(ON)=100mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=150mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■SurfacemountPackage.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
AD9953	400MSPS14-Bit,1.8VCMOSDirectDigitalSynthesizer GENERALDESCRIPTION TheAD9953isadirectdigitalsynthesizer(DDS)featuringa14-bitDACoperatingupto400MSPS.TheAD9953usesadvancedDDStechnology,coupledwithaninternalhighspeed,highperformanceDACtoformadigitallyprogrammable,completehighfrequencysynthesizercapableof	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD9953	400MSPS,14-Bit,1.8VCMOSDirectDigitalSynthesizer 文件：648.08 Kbytes Page：32 Pages	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

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更新时间：2024-6-16 23:00:01

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2020-9-18
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2020-7-30
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2020-7-30
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2020-7-30
SI9987-缓冲H桥
该Si9987是一个综合的，缓冲的H-桥与TTL兼容的输入和提供持续的能力1.0一个在VDD=5.0V的（室温）的交换速率高达至500千赫。内部逻辑防止上下产出任半同时被开启桥。独特允许两个输出输入代码将被迫低（制动）或...强制为高阻抗的水平。该Si9987是提供8引脚SOIC封装，指定操作过电压范围为3.8V至13.2V，和在0至70摄氏度（丙后缀）和商业温度范围鈥到85℃（D后缀）。特点1.0的H-桥500kHz的开关频率贯通有限公司TTL兼容输入3.8至13
2013-2-7
Si9976-N沟道半桥式驱动器
描述该Si9976DY是一个N沟道集成的驱动器MOSFET的半桥。施密特触发器输入提供逻辑信号兼容性和滞后的噪音增加免疫力。内部低电压稳压器允许器件对供电系统从20到40五，直接供应两个半桥式N通道闸直接驱动低阻抗输出。另外一个外部电容允许将这两个级别的电源内部电路...和逻辑信号半桥高端N-通道闸驱动器。内部电荷泵代替泄漏电流损失在高侧驱动器电路，以提供“静态“（DC）的操作在任何输出条件。保护功能包括一欠压锁定，交叉传导预防的逻辑，短路显示器。该Si9976DY是可用14引脚SOIC（表面贴装）封装，规定工作在工业（-40至85°C）温度范围。...
2013-2-7

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