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SI9945BDY-T1价格
参考价格:¥2.1873
型号:SI9945BDY-T1-G> 品牌:Vishay / Semiconductor 备注:这里有SI9945BDY-T1多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SI9945BDY-T1批发/采购报价,SI9945BDY-T1行情走势销售排行榜,SI9945BDY-T1报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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SI9945BDY-T1 | 场效应管 | hxymos 华轩阳电子 | ||
Dual N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • LCD TV CCFL inverter • Load switch | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | |||
Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件:1.08954 Mbytes Page:9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |||
Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件:271.18 Kbytes Page:10 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |
SI9945BDY-T1产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI9945BDY-T1
- 功能描述
MOSFET 60V 5.3A 3.1W 58mohm @ 10V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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VISHAY/威世 |
15+ |
SO-8 |
227 |
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NA |
23+ |
NA |
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VISHAY/威世 |
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2020-9-18SI9945BDY-T1-GE3原装现货
瀚佳科技(深圳)有限公司 专业进口电子元器件代理商
2020-7-30SI9933CDY-T1-GE3原装现货
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2020-7-30SI9912-半桥式开关电源的MOSFET驱动器
描述 该Si9912是一个双MOSFET高速驱动程序打破前先。它的设计工作在高频率的DC - DC开关电源。高边驱动器自举来处理相关的高压摆率与“浮动“高边栅极驱动器。每个驱动程序的处理能力开关60- ns的propogation延迟,3000 pF负载25 ns的过渡时间。该Si9912配备了一个内部打破前先功能,以防止直通电流外部MOSFET。关断引脚用于使驱动程序。禁用时,驱动程序的静态电流答:小于5该Si9912可在标准及无铅(Pb),免8针操作SOIC封装,在产业化经营范围(鈭C至85℃)。 特点 4.5至5.5 V操作
2013-2-25SI9987-缓冲H桥
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2013-2-7Si9976-N沟道半桥式驱动器
描述 该Si9976DY是一个N沟道集成的驱动器MOSFET的半桥。施密特触发器输入提供逻辑信号兼容性和滞后的噪音增加免疫力。内部低电压稳压器允许器件对供电系统从20到40五,直接供应两个半桥式N通道闸直接驱动低阻抗输出。另外一个外部电容允许将这两个级别的电源内部电路...和逻辑信号半桥高端N-通道闸驱动器。内部电荷泵代替泄漏电流损失在高侧驱动器电路,以提供“静态“(DC)的操作在任何输出条件。保护功能包括一欠压锁定,交叉传导预防的逻辑,短路显示器。该Si9976DY是可用14引脚SOIC(表面贴装)封装,规定工作在工业(-40至85 ° C)温度范围。...
2013-2-7
DdatasheetPDF页码索引
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