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RS232/423 Low Cap, #24-15c, FPE, O/A FoilBraid, PVC Jkt, CM

Product Description Computer EIA RS-232/423 Cable, 24 AWG stranded (7x32) tinned copper conductors, Datalene® insulation, overall Beldfoil® (100 coverage) + tinned copper braid shield (65 coverage), drain wire, PVC jacket.

BELDEN

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Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

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更新时间:2025-12-26 23:01:01
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    焕盛达竭诚为您提供一站式配套服务。当天下单,当天发货;

    2020-9-18
  • SI9945BDY-T1-GE3原装现货

    瀚佳科技(深圳)有限公司 专业进口电子元器件代理商

    2020-7-30
  • SI9933CDY-T1-GE3原装现货

    瀚佳科技(深圳)有限公司 专业进口电子元器件代理商

    2020-7-30
  • SI9912-半桥式开关电源的MOSFET驱动器

    描述 该Si9912是一个双MOSFET高速驱动程序打破前先。它的设计工作在高频率的DC - DC开关电源。高边驱动器自举来处理相关的高压摆率与“浮动“高边栅极驱动器。每个驱动程序的处理能力开关60- ns的propogation延迟,3000 pF负载25 ns的过渡时间。该Si9912配备了一个内部打破前先功能,以防止直通电流外部MOSFET。关断引脚用于使驱动程序。禁用时,驱动程序的静态电流答:小于5该Si9912可在标准及无铅(Pb),免8针操作SOIC封装,在产业化经营范围(鈭C至85℃)。 特点 4.5至5.5 V操作

    2013-2-25
  • Si9976-N沟道半桥式驱动器

    描述 该Si9976DY是一个N沟道集成的驱动器MOSFET的半桥。施密特触发器输入提供逻辑信号兼容性和滞后的噪音增加免疫力。内部低电压稳压器允许器件对供电系统从20到40五,直接供应两个半桥式N通道闸直接驱动低阻抗输出。另外一个外部电容允许将这两个级别的电源内部电路...和逻辑信号半桥高端N-通道闸驱动器。内部电荷泵代替泄漏电流损失在高侧驱动器电路,以提供“静态“(DC)的操作在任何输出条件。保护功能包括一欠压锁定,交叉传导预防的逻辑,短路显示器。该Si9976DY是可用14引脚SOIC(表面贴装)封装,规定工作在工业(-40至85 ° C)温度范围。...

    2013-2-7
  • SI9987-缓冲H桥

    该Si9987是一个综合的,缓冲的H -桥与TTL兼容的输入和提供持续的能力1.0一个在VDD =5.0 V的(室温)的交换速率高达至500千赫。内部逻辑防止上下产出任半同时被开启桥。独特允许两个输出输入代码将被迫低(制动)或...强制为高阻抗的水平。该Si9987是提供8引脚SOIC封装,指定操作过电压范围为3.8 V至13.2 V,和在0至70摄氏度(丙后缀)和商业温度范围鈥到85℃(D后缀)。 特点 1.0的H-桥 500 kHz的开关频率 贯通有限公司 TTL兼容输入 3.8至13

    2013-2-7