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SI8904EDB_V01

Bi-Directional N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • Ultra-Low RSS(on) and 22.5 mΩ Maximum Effective On-Resistance • ESD Protected: 4000 V • MICRO FOOT® Chipscale Packaging Reduces Footprint Area, Profile (0.65 mm) and On-Resistance Per Footprint Area APPLICATIONS • Battery Protection Circuit - 1-2 Ce

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

更新时间:2025-11-23 23:00:00
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