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SI8902EDB_V01

Bi-Directional N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • Ultra-low RSS(on) • ESD protected: 4000 V • MICRO FOOT® chipscale packaging reduces footprint area profile (0.62 mm) and on-resistance per footprint area • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLI

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

更新时间:2025-8-13 9:04:00
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