SI8810EDB价格

参考价格:¥1.0559

型号:SI8810EDB-T2-E1 品牌:Vishay 备注:这里有SI8810EDB多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SI8810EDB批发/采购报价,SI8810EDB行情走势销售排行榜,SI8810EDB报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SI8810EDB

N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

Si8810EDB

N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The 8810 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. Standard Product 8810 is Pb-free (meets RO

TUOFENG

拓锋半导体

Thermally Conductive Adhesive Transfer Tapes

文件:175.98 Kbytes Page:7 Pages

3M

N-channel power MOS field effect tube

文件:270.42 Kbytes Page:1 Pages

FUMAN

富满微

Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET

文件:973.56 Kbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:1.37293 Mbytes Page:4 Pages

HOTTECH

合科泰

SI8810EDB产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI8810EDB

  • 功能描述

    MOSFET 20V .072ohm@4.5V 2.9A N-Ch

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-15 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Vishay(威世)
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NA/
8735
原厂直销,现货供应,账期支持!
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VISHAY(威世)
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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11UCSP
3000
假一赔百原装正品价格优势实单可谈
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原厂原装,价格优势
TI德州仪器
24+
11UCSP
12000
进口原装 价格优势
Vishay Siliconix
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4XFBGA
9000
原厂渠道,现货配单
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3000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,
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BGA-4
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞

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