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SI8481DB_V01

P-Channel20V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®GenIIIp-channelpowerMOSFET •Low0.6mmmaximumheight •Lowon-resistance •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Loadswitch -Withlowvoltagedrop •Powermanagementinbatteryoperated,

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay
更新时间:2024-6-18 8:30:00
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