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SI7794DP-T1-GE3

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

文件:511.35 Kbytes Page:13 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

SI7794DP-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI7794DP-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 30 Volts 60 Amps 48 Watts

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-1 11:09:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SI
23+
QFN1212-8
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
VISHAY/威世
23+
PAKSO8
50000
全新原装正品现货,支持订货
Vishay Siliconix
22+
PowerPAK? 12128
9000
原厂渠道,现货配单
台产
24+
DFN5X6
7800
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈
VISHAY
21+
PAKSO8
10000
原装现货假一罚十
Vishay/Siliconix
24+
PowerPAK1212-8
7500
VISHAY/威世
25+
PowerPAKSO-8
5389
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NK/南科功率
2025+
DFN5060
986966
国产
VISHAY/威世
21+
PAKSO8
10000
全新原装 公司现货 价格优
VISHAY
24+
PAKSO8
25836
新到现货,只做全新原装正品

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