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VISHAY
QFN8

VishayVishay Siliconix

威世科技

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Vishay

VISHAY
QFN8

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威世威世(VISHAY)集团

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TFUNK

VISHAY
QFN8

BARRY

Vishay Barry

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BARRY

SI7658DP-T1-E3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI7658DP-T1-E3

  • 功能描述

    MOSFET 30V 60A 104W

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-14 22:30:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY
2020+
SO-8
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
VISHAY/威世
22+
SO-8
100000
代理渠道/只做原装/可含税
SILICONIX
23+
NA
1271
专做原装正品,假一罚百!
SI
21+
25000
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!
VISHAY/威世
22+21+
QFN
7542
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品
VISHAY/威世
1950+
QFN
4856
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
VISHAY
2021+
QFN
6060
百分百原装正品
VISHAY/威世
23+
NA/
5799
原厂直销,现货供应,账期支持!
SI
10+
SOP-8
6000
绝对原装自己现货
SI
2316+
SOP8
3668
优势代理渠道,原装现货,可全系列订货

SI7658DP-T1-E3芯片相关品牌

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