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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VISHAY | ETC |   | ||
VISHAY | ETC | | ||
VISHAY | ETC | | ||
Vishay Siliconix | ETC | | ||
Vishay Siliconix | ETC | |
SI7425DN-T1-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI7425DN-T1-GE3
- 功能描述
MOSFET 12V 12.6A 3.6W 16mohm @ 4.5V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-11-22 16:11:02
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay(威世) |
23+ |
NA |
20094 |
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Vishay(威世) |
24+ |
NA/ |
7350 |
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Vishay(威世) |
23+ |
N/A |
11800 |
||||
Vishay/Siliconix |
24+ |
8-SOIC |
7500 |
||||
VISHAY(威世) |
2447 |
PowerPAK SO-8 |
105000 |
3000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
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VISHAY/威世 |
23+ |
PowerPAK1212-8 |
7000 |
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VISHAY/威世 |
25+ |
PAK1212-8 |
20300 |
VISHAY/威世原装特价SI7425DN-T1-GE3即刻询购立享优惠#长期有货 |
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Vishay(威世) |
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36000 |
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Vishay(威世) |
2021/2022+ |
标准封装 |
6500 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
DFN3333 |
986966 |
国产 |
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