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SI7403BDN-T1-GE3

P-Channel12V(G-S)MOSFET

文件:1.1352 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

SI7403BDN-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI7403BDN-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 20V 8.0A 9.6W 74mohm @ 4.5V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-4 13:48:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBsemi/台湾微碧
QFN8
6003
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规
VISHAY/威世
23+
SO-8
2500
百分百进口原装环保整盘
SI
05+/06+
QFN1212-8
800
VBsemi
2233+
QFN
6804
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
VBsemi
2023+
QFN
700000
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
VBsemi
21+
QFN
50000
全新原装正品现货,支持订货
VB
2019
QFN8
55000
绝对原装正品假一罚十!
VISHAY/威世
新批次
PowerPAK1212-8
4326
V
2020+
QFN8
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
VISHAY
NA
8560
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货

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