型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SI7403BDN-T1-GE3

P-Channel 12 V (G-S) MOSFET

文件:1.1352 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SI7403BDN-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI7403BDN-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 20V 8.0A 9.6W 74mohm @ 4.5V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-30 8:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
23+
PowerPAK1212-8
7000
VISHAY
1438+
QFN
14495
上传都是百分之百进口原装现货
VB
25+
QFN8
10000
原装现货假一罚十
VISHAY/威世
24+
QFN
28235
郑重承诺只做原装进口现货
VBsemi
21+
QFN
10026
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
VBsemi/台湾微碧
22+
QFN8
20000
公司只做原装 品质保证
VISHAY
NA
8560
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
VBsemi
25+
QFN
6804
NK/南科功率
2025+
DFN3333
986966
国产
VBSEMI/台湾微碧
24+
QFN8
60000
全新原装现货

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