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SI6968BEDQ_V01

Dual N-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection

FEATURES • TrenchFET® power MOSFETs • ESD protected: 3000 V • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note • *(Pb)-containing terminations are not RoHS-compliant. Exemptions may apply

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

更新时间:2026-3-5 11:00:00
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