SI6968BEDQ-T1价格

参考价格:¥1.7391

型号:SI6968BEDQ-T1-E3 品牌:Vishay 备注:这里有SI6968BEDQ-T1多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SI6968BEDQ-T1批发/采购报价,SI6968BEDQ-T1行情走势销售排行榜,SI6968BEDQ-T1报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SI6968BEDQ-T1

Dual N-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection

FEATURES • TrenchFET® power MOSFETs • ESD protected: 3000 V • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note • *(Pb)-containing terminations are not RoHS-compliant. Exemptions may apply

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SI6968BEDQ-T1

Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection

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威世科技威世科技半导体

SI6968BEDQ-T1

Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection

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威世科技威世科技半导体

Dual N-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection

FEATURES • TrenchFET® power MOSFETs • ESD protected: 3000 V • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note • *(Pb)-containing terminations are not RoHS-compliant. Exemptions may apply

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Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection

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SI6968BEDQ-T1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI6968BEDQ-T1

  • 功能描述

    MOSFET 20V 6.5A 1.0W

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-11 23:39:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
25+
MSOP8
32360
VISHAY/威世全新特价SI6968BEDQ-T1-GE3即刻询购立享优惠#长期有货
Vishay(威世)
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