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SI5519DU-T1-GE3

N-andP-Channel20-V(D-S)MOSFET

文件:148.96 Kbytes Page:12 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

SI5519DU-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI5519DU-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET N/P-Ch ChipFET 20V 36/64mohm @ 4.5V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-17 23:14:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY
20+
na
65790
原装优势主营型号-可开原型号增税票
BEL
2016+
变压器
8850
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SI
2020+
TSOP8
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
BEL
1736+
RJ45
15238
原厂优势渠道
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TSSOP-8
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SOIC-8
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SILICONI/矽睿科技
22+
TSOP8
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