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Vishay Barry

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SI5519DU-T1-E3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI5519DU-T1-E3

  • 功能描述

    MOSFET 20V 6.0A 10.4W

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-20 22:58:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
BEL
2016+
变压器
8850
只做原装,假一罚十,公司专营变压器,滤波器!
SI
2020+
TSOP8
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
VISHAY/威世
22+
POWERPAK
25000
只有原装绝对原装,支持BOM配单!
VISHAY
20+
na
65790
原装优势主营型号-可开原型号增税票
原厂
2023+
模块
600
专营模块,继电器,公司原装现货
BEL
1736+
RJ45
15238
原厂优势渠道
BEL
2022+
RJ45
90000
原厂原盒现货,年底清仓大特价!送
SILICONIX
2016+
SOIC-8
6528
只做原厂原装现货!终端客户个别型号可以免费送样品!
VISHAY
23+
DFN
6680
全新原装优势
SILICONIX
02+
SOIC-8
6000
绝对原装自己现货

SI5519DU-T1-E3芯片相关品牌

  • AAC
  • AITSEMI
  • Atmel
  • BITECH
  • DBLECTRO
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  • MOLEX3
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