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SI4925DY	DualP-Channel,LogicLevel,PowerTrenchMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelLogicLevelMOSFETsareproducedusingFairchildSemiconductorsadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformance. Thesedevicesarewellsuite	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
4925B	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitches -NotebookPCs -DesktopPCs -GameStations	VishayVishay Siliconix 威世科技
APM4925	PCHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features •-30V/-6.1A, RDS(ON)=24mΩ(typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=30mΩ(typ.)@VGS=-4.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •SOP-8Package •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPower	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子
APM4925K	DualP-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-30V/-6.1A, RDS(ON)=24mΩ(typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=30mΩ(typ.)@VGS=-4.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •SOP-8Package •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPower	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子
APM4925KC-TR	DualP-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-30V/-6.1A, RDS(ON)=24mΩ(typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=30mΩ(typ.)@VGS=-4.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •SOP-8Package •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPower	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子
APM4925KC-TR	PCHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features •-30V/-6.1A, RDS(ON)=24mΩ(typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=30mΩ(typ.)@VGS=-4.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •SOP-8Package •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPower	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子

SI4925DY产品属性

类型
描述
型号
SI4925DY
功能描述
MOSFET Dual PCh 30V/20V
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装/箱体
Max247
封装
Tube

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更新时间：2024-5-12 23:00:00

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Si512，全新.当天发货或门市自取，如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一企鹅:一一七四零五二三五三，V:八七六八零五五八.
2021-11-10
SI4942DY-T1-E3
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2021-10-20
SI4894DY-T1-E3
MD/SMT2ChannelP-ChannelMOSFET,PowerFLAT-8x8-HV-5SMD/SMT650VMOSFET,TO-264-3MOSFET,SiSMD/SMT1ChannelN-ChannelAEC-Q10175V-20V,+20VMOSFET,P-Channel,SBDMOSFET,SingleSOT-23-360VMOSFET
2020-9-9
SI4947ADY-T1-E3.只做原装假一罚十
TO-263-3MOSFET，TO-220MOSFET，SOT-563-6MOSFET，1ChannelN-Channel80A650VMOSFET，SiSMD/SMT5A650VMOSFET，SMD/SMT2AMOSFET
2020-3-3
SI4894BDY-T1-GE3原装正品现货供应
D2PAK-3N-ChannelMOSFET，N-Channel25A900VMOSFET，DualSMD/SMT2ChannelN-Channel1VMOSFET，PG-TO-247-3MOSFET，1ChannelN-Channel1WAEC-Q101MOSFET，P-Channel2.7A30VMOSFET
2019-12-27
SI4892DY-T1公司全新原装现货
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2019-8-29

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