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SI4684DY-T1-E3

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

文件:1.00739 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

SI4684DY-T1-E3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI4684DY-T1-E3

  • 功能描述

    MOSFET 30V 16A 4.45W

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-7-24 16:54:00
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