SI4485DY价格

参考价格:¥0.8884

型号:SI4485DY-T1-GE3 品牌:Vishay 备注:这里有SI4485DY多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SI4485DY批发/采购报价,SI4485DY行情走势销售排行榜,SI4485DY报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SI4485DY

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

Si4485DY

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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威世威世科技公司

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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P-Channel MOSFET uses advanced trench technology

Description: This P-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Features: 1) VDS=-40V,ID=-10A,RDS(ON)

DOINGTER

杜因特

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The AO4485/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use as a DC-DC converter application. AO4485 and AO4485L are electrically identical. -RoHS Compliant -AO4485L is Halogen Free Features VDS (V) =

AOSMD

万国半导体

HEYbrid™ Brass/Nylon Liquid Tight Cordgrips

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Heyco

Adafruit LSM6DS33 LIS3MDL - 9 DoF IMU with Accel / Gyro / Mag - STEMMA QT Qwiic

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Adafruit

40V P-Channel MOSFET

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AOSMD

万国半导体

SI4485DY产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI4485DY

  • 功能描述

    MOSFET 30V 6.0A 5.0W 42mohm @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-29 11:49:00
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