SI4420DYPBF价格

参考价格:¥3.8808

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SI4420DYPBF

HEXFETPower MOSFET

Description This N-channel HEXFET® power MOSFET is produced using International Rectifiers advanced HEXFET power MOSFET technology. The low on-resistance and low gate charge inherent to this technology make this device ideal for low voltage or battery driven power conversion applications. The SO

IRF

SI4420DYPBF

Simple Drive Requirements

文件:119.92 Kbytes Page:8 Pages

IRF

SI4420DYPBF

HEXFET\u0001\u0001Power MOSFET

Infineon

英飞凌

Simple Drive Requirements

文件:119.92 Kbytes Page:8 Pages

IRF

RECTIFIERS

RECTIFIERS Fast Recovery, 6 Amp to 9 Amp

Microsemi

美高森美

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.01364 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Thick Film Surface Mounted Wide Body Tape and reel packaging standard

文件:235.57 Kbytes Page:2 Pages

Bourns

伯恩斯

Networks

文件:63.61 Kbytes Page:1 Pages

Bourns

伯恩斯

Networks

文件:29.03 Kbytes Page:2 Pages

Bourns

伯恩斯

SI4420DYPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI4420DYPBF

  • 功能描述

    MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 52nC

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-17 22:58:00
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