SI4410DYTRPBF价格

参考价格:¥1.9518

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SI4410DYTRPBF

N-Channel MOSFET

Description This N-channel HEXFET® Power MOSFET is produced using International Rectifiers advanced HEXFET power MOSFET technology. The low onresistance and low gate charge inherent to this technology make this device ideal for low voltage or battery driven power conversion applications. The SO-

IRF

SI4410DYTRPBF

N-Channel 20V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFET • Optimized for High-Side Synchronous Rectifier Operation • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Notebook CPU Core - High-Side Switch

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CET

华瑞

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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HOTTECH

合科泰

N-Channel 20V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

HEYConnect™ Terminal Bushings

文件:93.68 Kbytes Page:1 Pages

Heyco

N-Channel 20V (D-S) MOSFET

文件:1.00712 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SI4410DYTRPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI4410DYTRPBF

  • 功能描述

    MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms 30nC

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-9-26 22:59:00
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