SI4410DYTRPBF价格

参考价格:¥1.9518

型号:SI4410DYTRPBF 品牌:INTERNATIONAL 备注:这里有SI4410DYTRPBF多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SI4410DYTRPBF批发/采购报价,SI4410DYTRPBF行情走势销售排行榜,SI4410DYTRPBF报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SI4410DYTRPBF

N-Channel MOSFET

Description This N-channel HEXFET® Power MOSFET is produced using International Rectifiers advanced HEXFET power MOSFET technology. The low onresistance and low gate charge inherent to this technology make this device ideal for low voltage or battery driven power conversion applications. The SO-

IRF

SI4410DYTRPBF

N-Channel 20V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFET • Optimized for High-Side Synchronous Rectifier Operation • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Notebook CPU Core - High-Side Switch

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CET

华瑞

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:523.71 Kbytes Page:4 Pages

HOTTECH

合科泰

N-Channel 20V (D-S) MOSFET

文件:1.01333 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

HEYConnect™ Terminal Bushings

文件:93.68 Kbytes Page:1 Pages

Heyco

N-Channel 20V (D-S) MOSFET

文件:1.00712 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SI4410DYTRPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI4410DYTRPBF

  • 功能描述

    MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms 30nC

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-4 14:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
2021+
SO-8
9000
原装现货,随时欢迎询价
IR
25+
SOP-8
4000
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
IR
25+
20
公司优势库存 热卖中!
IR
2450+
SOP8
6540
只做原装正品现货或订货假一赔十!
Infineon Technologies
23+
8-so
6996
只做原装正品现货
IR
24+
SOP8
6430
原装现货/欢迎来电咨询
IR
24+
8-SOIC
7500
IR
24+
DIP8
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
INFINEON/英飞凌
2407+
MOS
30098
全新原装!仓库现货,大胆开价!
Infineon Technologies
21+
8-SO
4000
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)!

SI4410DYTRPBF数据表相关新闻