SI4410DYTRPBF价格

参考价格:¥1.9518

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SI4410DYTRPBF

N-ChannelMOSFET

Description ThisN-channelHEXFET®PowerMOSFETisproducedusingInternationalRectifiersadvancedHEXFETpowerMOSFETtechnology.Thelowonresistanceandlowgatechargeinherenttothistechnologymakethisdeviceidealforlowvoltageorbatterydrivenpowerconversionapplications. TheSO-

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
SI4410DYTRPBF

N-Channel20V(D-S)MOSFET

FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •OptimizedforHigh-SideSynchronousRectifierOperation •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •NotebookCPUCore -High-SideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

CETCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET

N-Channel20V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

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HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰广东合科泰实业有限公司

HOTTECH

N-Channel20V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel20V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

SI4410DYTRPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI4410DYTRPBF

  • 功能描述

    MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms 30nC

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-10 8:21:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
2020+
SOP-8
4000
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
IR
2316+
SOP8
3886
优势代理渠道,原装现货,可全系列订货
INFINEON/英飞凌
22+
45500
郑重承诺只做原装进口现货
IR
24+
3
860000
明嘉莱只做原装正品现货
Infineon/英飞凌
SOIC-8_150mil
6000
IR
776
原装正品老板王磊+13925678267
Infineon Technologies
21+
8-SO
4000
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)!
IR
21+
SOP8
1400
原装现货假一赔十
Infineon/英飞凌
21+
SOIC-8_150mil
8800
公司只作原装正品
原厂原包
2022+
原装
38560
原装进口现货,工厂客户可以放款。17377264928微信同

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