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SI2308DS-T1-GE3

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:1.03156 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SI2308DS-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI2308DS-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 60V 2.0A 1.25W 160mohm @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-2 14:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NK/南科功率
9420
SOT-23
36520
国产南科平替供应大量
VISHAY/威世
2019+PB
SOT-23
6500
原装正品 可含税交易
VISHAY/威世
2025+
SOT-23
5000
原装进口,免费送样品!
VISHAY/威世
2019+
SOT-23
78550
原厂渠道 可含税出货
VISHAY/威世
24+
SOT-23
60000
VISHAY/威世
24+
SOT-23
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
VISHAY/威世
24+
SOT-23
98000
原装现货假一罚十
VBSEMI
2407+
SOT23-3
30098
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VISHAY/威世
23+
SOT23
50000
全新原装正品现货,支持订货
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2024+
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