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SI2308DS-T1-GE3

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

文件:1.03156 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

SI2308DS-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI2308DS-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 60V 2.0A 1.25W 160mohm @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-22 19:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
SOT23
7906200
VISHAY
20+
SOT-23
43000
原装优势主营型号-可开原型号增税票
VBSEMI台湾微碧
23+
SOT23-3
22820
原装正品,支持实单
VBsemi(微碧)
24+
SOT-23-3
5000
诚信服务,绝对原装原盘。
VISHAY/威世
22+
SOT-23
354000
VISHAY/威世
24+
SOT-23
880000
明嘉莱只做原装正品现货
Vishay(威世)
23+
标准封装
64298
原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期
VISHAY/威世
新年份
SOT-23
6500
原装正品大量现货,要多可发货,实单带接受价来谈!
VISHAY/威世
23+
SOT-23
98000
原装现货假一罚十
VISHAY
1742+
SOT23-3
98215
只要网上有绝对有货!只做原装正品!

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