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SI1563DH-T1-E3

Complementary 20 V (D-S) Low-Threshold MOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI1563DH-T1-E3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI1563DH-T1-E3

  • 功能描述

    MOSFET 20V 1.28/1.0A 16

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-23 17:18:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY
24+
SOT-363
18800
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24+
SOT-363
7500
VISHAY
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SOT-363
16500
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Vishay(威世)
25+
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
500000
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