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SI1013R-T1-E3

P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

文件:94.34 Kbytes Page:6 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SI1013R-T1-E3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI1013R-T1-E3

  • 功能描述

    MOSFET 20V 0.35A 0.15W

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-7 22:58:00
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